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美長債收益率飆升至多年高位
2026/05/20 08:29
美長債收益率飆升至多年高位：週二A股整體延續高位震盪、結構性分化行情，指數整體企穩抬升，大小盤風格差異顯著。當日A股三大指數漲跌分化，滬指低開高走午後持續修復，收盤上漲0.92%報4169.54點，深成指小幅上漲0.26%報15569.91點，創業板指微跌0.16%報3908.44點。兩市全天成交2.91萬億元，較前一日小幅縮量但繼續維持近3萬億的歷史高位區間，市場整體流動性充裕。盤面賺錢效應偏強，全市場超3600只個股上漲，僅1700餘隻個股下跌。風格端科創板塊顯著領跑，科創綜指大漲2.62%、科創50同步走強，硬科技、中小盤成長成為資金主攻方向，而創業板偏弱運行，反映當前市場資金更偏好確定性強、政策催化密集的硬核科技賽道。板塊層面，電力、半導體、IT服務、算力基礎設施、AI應用、虛擬電廠等方向領漲；前期強勢的能源金屬、貴金屬等週期板塊集體回調，市場呈現明顯的“成長修復、週期休整”格局。北向資金交易活躍度維持高位，全天成交超3500億元，持續加倉半導體與算力核心龍頭，外資對A股硬科技主線認可度持續抬升。外圍市場方面，通脹壓力重燃，引發全球債券收益率飆升至多年高位，標普、納指承壓連跌三日，科技與半導體板塊首當其衝。CME Group的FedWatch工具顯示，市場對美聯儲12月加息25個基點的概率定價已升至41.7%，加息50個基點的概率則從一週前的4.7%升至15.7%。2026年加息概率更一度飆升至逾80%。30年期美債收益率創2007年夏季以來新高，逼近5.2%，五年期美債收益率漲超9.4個基點。10年期德債收益率漲超4個基點，與30年期國債收益率創2011年以來新高。
科技賽道當日迎來重磅產業事件集中催化，半導體與算力產業鏈共振走強。半導體領域，國內存儲芯片龍頭長江存儲正式啟動IPO輔導，資本化進程實質性提速，疊加旗下子公司武漢新芯終止獨立上市，市場明確長存集團為核心資產整合平臺，國產3D NAND存儲產業證券化路徑徹底清晰，對存儲芯片、半導體設備、材料及封測全產業鏈形成直接利好。長江存儲（3D NAND）與長鑫科技（DRAM）作為國產存儲雙雄同步推進科創板IPO，標誌著中國半導體存儲產業全面資本化，雙IPO將加速AI算力存儲（企業級SSD/HBM內存）國產化，重構全球由三星、SK海力士壟斷的存儲格局。算力產業端，海外技術迭代持續超預期，AMD明確產業進入CPU+GPU融合新時代，AI推理與智能體需求爆發將持續拉動全球算力升級週期。疊加中美雙方達成共識、同意開展AI政府間對話，全球AI產業監管與合作預期趨於穩定，外部不確定性大幅降溫，進一步強化國內算力、人工智能、半導體板塊的中長期景氣邏輯。
綜合來看，當前A股處於制度紅利釋放、政策持續托底、產業趨勢向上的多重共振階段，市場整體流動性充裕、主線邏輯清晰明確。盤面大小盤分化、科技占優的特徵，本質是資金在政策窗口期主動增配確定性成長賽道。後續市場將持續圍繞AI算力、半導體硬科技、高端製造等新質生產力主線展開結構性行情，高股息電力板塊則持續發揮底倉防禦作用。操作上建議維持“科技成長主攻、高股息輔助”的均衡配置思路，主線核心標的不追高、逢回調加倉，同時謹慎應對海外科技波動、大宗商品波動、高位題材獲利回吐等潛在擾動因素。

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